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hakuto 离子刻蚀机7.5IBE 用于氮化硅刻蚀工艺研究

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-01-14  浏览次数:0
核心提示:重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用hakuto离子刻蚀机7.5IBE.Hakuto离子蚀刻机7.5IBE技术规格:portant;真空腔1 set,主体不
重庆某研究所在在氮化硅刻蚀工艺研究中采用 hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE.

 

Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:

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真空腔

1 set, 主体不锈钢,水冷

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基片尺寸

1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,

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离子源

ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75

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离子束入射角

0 Degree± 90 Degree

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极限真空

1x10-4 Pa

portant;">

刻蚀性能

一致性±5% across 4

 

 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75


 

针对氮化硅刻蚀工艺中硅衬底刻蚀消耗失的问题为了提高氮化硅对二氧化硅的刻蚀选择比采用 CF4, CH3FO23种混合气体刻蚀氮化硅通过调整气体流量比腔内压强及功率研究其对氮化硅刻蚀速率、二氧化硅刻蚀速率及氮化硅对二氧化硅选择比等主要刻蚀参数的英响.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                      T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw

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