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hakuto 离子刻蚀机 20IBE 刻蚀滤波器钽酸锂晶片

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-01-14  浏览次数:2
 安徽某晶体厂商采用 hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 刻蚀滤波器钽酸锂晶片采用间歇式离子束刻蚀方法,解决了刻蚀区微裂纹工艺问题使厚度为60μm钽酸锂晶片减薄至30μm.

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-J 技术参数:

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Φ4 inch X 12

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基片尺寸

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Φ4 inch X 12

Φ5 inch X 10

Φ6 inch X 8

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均匀性

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±5%

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硅片刻蚀率

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20 nm/min

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样品台

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直接冷却,水冷

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离子源

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Φ20cm 考夫曼离子源

 

Hakuto 离子刻蚀机 20IBE-J 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220

 

 

 

晶体滤波器的用途越来越广泛, 尤其在通信机和雷达设备, 都需要高频率、大带宽的晶体滤波器目前,晶体滤波器使用的主要材料是石英晶体, 由于其具有高品质因数(Q)值、良好的温度稳定性和时间稳定性, 在精度要求很高的窄带滤波器中具有很大的优越性.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw

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