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hakuto离子刻蚀机10IBE 刻蚀衍射光学元件提高均匀度

放大字体  缩小字体 发布日期:2021-01-14  浏览次数:2
 北京某实验室采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 10IBE刻蚀衍射光学元件.

 

Hakuto 离子蚀刻机 10IBE 技术参数:

portant;">

基板尺寸

portant;">

< Ф8 X 1wfr

portant;">

样品台

portant;">

直接冷却(水冷)0-90 度旋转

portant;">

离子源

portant;">

16cm 考夫曼离子源

portant;">

均匀性

portant;">

±5% for 4”Ф

portant;">

硅片刻蚀率

portant;">

20 nm/min

portant;">

温度

portant;">

<100

 

 

Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 160


Hakuto 离子刻蚀机 10IBE
 真空腔采用 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700, 可抽的真空度 < 1 · 10-7 hpa, 良好的保持真空腔的真空度.

 

 

采用 Hakuto 离子刻蚀机 10IBE 刻蚀可提高衍射光学元件表面的均匀性.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生 台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn ec@hakuto.com.tw
 

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