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Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层

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最后更新: 2021-01-14 14:31
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公司基本资料信息
 
 
详细说明
 某芯片设计机构研究部门采用伯东 Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 用于芯片去层.

 

 

Hakuto 离子蚀刻机 7.5IBE 技术规格:

真空腔

1 set, 主体不锈钢,水冷

基片尺寸

1 set, 4”/6”ϕ Stage, 直接冷却,

离子源

ϕ 8cm 考夫曼离子源 KDC75

离子束入射角

0 Degree~± 90 Degree

极限真空

≦1x10-4 Pa

刻蚀性能

一致性: ≤±5% across 4”

 

该 Hakuto 离子刻蚀机 7.5IBE 的核心构件离子源是配伯东公司代理美国考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的考夫曼离子源 KDC 75

 

 

伯东美国 KRI 考夫曼离子源 KDC75 技术参数:

 离子源型号

 离子源 KDC 75 

Discharge

DC 热离子

离子束流

>250 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

7.5 cm Φ

离子束

聚焦, 平行, 散射

流量

2-15 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

20.1 cm

直径

14 cm

中和器

灯丝

 

无论对于工艺设计, 还是生产控制或者缺陷分析, 去层分析是一种重要手段, 芯片本身多层结构(Passivation, metal, IDL)可一层一层去除, 也就是芯片去层(Delayer), 通过层次去除(Delayer)可逐层检视是否有缺陷, 并可提供后续实验, 清楚呈现出每一层电路布线结构.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王小姐
T: +86-21-5046-1322                      T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
 

伯东版权所有, 翻拷必究!

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