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Hakuto离子蚀刻机20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体

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最后更新: 2021-01-14 14:27
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公司基本资料信息
 
 
详细说明
 某厂商研发部门采用伯东  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 用于蚀刻 KDP 晶体进行抛光加工, 用以消除单点金刚石车削(SPDT)后 KDP 晶体表面留下的周期性小尺度波纹.

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 技术参数如下:

 

Ф4 inch X 6片

基板尺寸

< Ф3 inch X 8片
< Ф4 inch X 6片
< Ф8 inch X 1片

样品台

样品台可选直接冷却 / 间接冷却, 0-90度旋转

离子源

20cm 考夫曼离子源

均匀性

±5% for 8”Ф

硅片蚀刻率

20 nm/min

温度

<100

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 产品图如上图, 其主要构件包括 Pfeiffer 分子泵, KRI 考夫曼离子源, 触摸屏控制面板, 真空腔体, 样品台. 如下图:

 

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的核心构件离子源采用的是伯东公司代理美国 考夫曼博士创立的 KRI考夫曼公司的射频离子源 RFICP220.

 

伯东 KRI 射频离子源 RFICP220 技术参数:

离子源型号

RFICP 220

Discharge

RFICP 射频

离子束流

>800 mA

离子动能

100-1200 V

栅极直径

20 cm Φ

离子束

聚焦

流量

10-40 sccm

通气

Ar, Kr, Xe, O2, N2, H2, 其他

典型压力

< 0.5m Torr

长度

30 cm

直径

41 cm

中和器

LFN 2000

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 的样品台可以 0-90 度旋转, 实现样品均匀地接受离子的轰击, 进而实现提高样品的加工质量.

 

Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 配套的是伯东 Pfeiffer 涡轮分子泵 Hipace 700.

 

通过采用伯东  Hakuto 离子蚀刻机 20IBE-C 刻蚀后, 单点金刚石车削后的表面由初始的6.54nm RMS, 经过 1.76nm RMS 的平坦化层, 最终刻蚀转移到 KDP 晶体表面得到 1.84nm RMS 的光滑表面.

 

若您需要进一步的了解详细产品信息或讨论 , 请参考以下联络方式 :

上海伯东 : 罗先生                               台湾伯东 : 王女士
T: +86-21-5046-1322                   T: +886-3-567-9508 ext 161
F: +86-21-5046-1490                        F: +886-3-567-0049
M: +86 152-0195-1076                     M: +886-939-653-958
ec@hakuto-vacuum.cn                      ec@hakuto.com.tw
 

伯东版权所有, 翻拷必究!

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